Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret

Форм-фактор	SO-DIMM
Тип	Оперативная память
Ширина упаковки (ед)	0.17
Ссылка на сайт поставщика/вендора	https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM
Количество контактов	260-pin
Скорость (тест)	2666МГц
Объем одного модуля	4
Бренд	SILICON POWER

Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret - Характеристики

Форм-фактор	SO-DIMM
Тип	Оперативная память
Ширина упаковки (ед)	0.17
Ссылка на сайт поставщика/вендора	https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM
Количество контактов	260-pin
Скорость (тест)	2666МГц
Объем одного модуля	4
Бренд	SILICON POWER
Буферизация	unbuffered
Напряжение (тест)	1.2В
Суммарный объем памяти всего комплекта	4
Тип памяти	DDR4
Частотная спецификация	2666
Вес упаковки (ед)	0.035
Пропускная способность	21300
Объем	4096
Латентность	CL19
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ	0.18x0.17x0.015
Количество в упаковке	1
Количество рангов (Ranks)	single rank
Высота упаковки (ед)	0.015
Модель	SP004GBSFU266N02
Тип поставки	Ret
Объем упаковки (ед)	0.000459
Показатель скорости	PC4-21300
PartNumber/Артикул Производителя	SP004GBSFU266N02
Длина упаковки (ед)	0.18

Отзывов об этом товаре пока нет. Будьте первым!

Загрузка данных авторизации