Память DDR4 16GB 2666MHz Silicon Power SP016GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret

Форм-фактор	SO-DIMM
Напряжение (тест)	1.2В
Количество контактов	260-pin
Ссылка на сайт поставщика/вендора	https://www.silicon-power.com/web/by//product-188Rodzaj
Бренд	SILICON POWER
Буферизация	unbuffered
Латентность (CAS)	CL19
Тип памяти	DDR4

Память DDR4 16GB 2666MHz Silicon Power SP016GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret - Характеристики

Форм-фактор	SO-DIMM
Напряжение (тест)	1.2В
Количество контактов	260-pin
Ссылка на сайт поставщика/вендора	https://www.silicon-power.com/web/by//product-188Rodzaj
Бренд	SILICON POWER
Буферизация	unbuffered
Латентность (CAS)	CL19
Тип памяти	DDR4
Количество рангов (Ranks)	single rank
Тактовая частота	2666
Объем	16384
Тип поставки	Ret
Объем одного модуля	16
Количество в упаковке	1
PartNumber/Артикул Производителя	SP016GBSFU266X02
Суммарный объем памяти всего комплекта	16
Модель	SP016GBSFU266X02
Тип	Оперативная память
Пропускная способность	21300
Показатель скорости	PC4-21300
Скорость (тест)	2666МГц

Отзывов об этом товаре пока нет. Будьте первым!

Загрузка данных авторизации