Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBLFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank Ret

Напряжение (тест)	1.2В
Объем одного модуля	4
Бренд	SILICON POWER
Буферизация	unbuffered
Частотная спецификация	2666
Вес упаковки (ед)	0.035
Суммарный объем памяти всего комплекта	4
Тип памяти	DDR4

Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBLFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank Ret - Характеристики

Напряжение (тест)	1.2В
Объем одного модуля	4
Бренд	SILICON POWER
Буферизация	unbuffered
Частотная спецификация	2666
Вес упаковки (ед)	0.035
Суммарный объем памяти всего комплекта	4
Тип памяти	DDR4
Латентность	CL19
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ	0.172x0.065x0.013
Пропускная способность	21300
Объем	4096
Количество рангов (Ranks)	single rank
Высота упаковки (ед)	0.013
Количество в упаковке	1
Тип поставки	Ret
Объем упаковки (ед)	0.00014534
Модель	SP004GBLFU266N02
PartNumber/Артикул Производителя	SP004GBLFU266N02
Длина упаковки (ед)	0.172
Показатель скорости	PC4-21300
Тип	Оперативная память
Ширина упаковки (ед)	0.065
Форм-фактор	DIMM
Скорость (тест)	2666МГц
Ссылка на сайт поставщика/вендора	https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_UDIMM
Количество контактов	288-pin

Отзывов об этом товаре пока нет. Будьте первым!

Загрузка данных авторизации